CT1901
GaN E-MODE FET
CT1901
700V E-MODE GaN HEMT
產品簡介
CT1901器件是一系列高性能、高性價比的增強型GaN高電子遷移率晶體管（HEMT）。GaN是寬禁帶高功率密度的第3代半導體材料，GaN HEMT具有寄生電容小和無體二極管的特點，反向恢復電荷為0，可大幅減少開關損耗。
CT1901 器件的最低漏源耐壓650V，具有低柵極電荷、低輸出電荷、低開關損耗和無反向恢復電荷優點。封裝單獨引出源極控制引腳SK，使得開關控制更可靠，從而提高開關頻率。CT1901 器件適用于各類功率開關設計，尤其適用于超高頻的開關電源設計。
產品特點
★ 增強型高電子遷移率晶體管
★ 低開關損耗
★ 低柵極電荷，低輸出電荷
★ 無反向恢復電荷
★ 適用于超高頻開關
★ 低柵極驅動電壓
★ 低導通阻抗
應用領域
★ ACDC開關電源轉換器如AHB/LLC/QR 反激
★ 高壓DCDC轉換器
★ PFC
★ LED驅動
★ 電池快充
★ 各類適配器
技術配置與性能
產品名稱 | 氮化鎵晶體管 |
型 號 | CT-1901 |
封 裝 | DFN5×6 / TO252 5mm×6mm / 6.1mm×6.6mm |
VDS | 最大700V |
BVdss | Rdson | Ids | Qg | |
CT1901R140 | 700V | 140m? | 17A | 3.5nC |
CT1901R190 | 650V | 190m? | 13A | 2.0nC |
CT1901R210 | 700V | 210m? | 11A | 1.71nC |
CT1901R350 | 650V | 350m? | 6A | 1.5nC |
CT1901R600 | 650V | 600m? | 3.3A | 0.7nC |
產品圖片
