CT10B30V100
GaN增強型HEMT
CT10B030
產品簡介
100V雙向GaN增強型HEMT。柵極端子G和端子D1/D2之間都具有100V的擊穿電壓及100A工作電流 。GaN-HEMT可以通過VGD1電壓或VGD2電壓開啟。
產品特點
·雙向阻斷能力
·GaN E型HEMT技術
·超低導通電阻
應用領域
·BMS電池保護
·雙向變流器中的高壓側負載開關
·多電源系統中的開關電路
技術配置與性能
表1 TJ=25℃時的關鍵性能參數
參數 | 數值 | 單位 |
VDD，最大值 | 100 | V |
RDD（開啟），VG=5 V時的最大值 | 3.3 | m? |
QG，典型值@VDD=50V | 66 | nC |
ID, DC (TA=25°C) | 100 | A |
引腳信息
表2 引腳
引腳 | 引腳描述 | 引腳功能 |
1 | Gate | Driver Gate |
2,4,6 | Drain1 | Power Drain1 |
3,5,7 | Drain2 | Power Drain2 |
表3 訂購信息
型號 | 封裝 | 產品代碼 |
CT10B030 | FCQFN 5X6 |