圍繞化合物半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)材料技術(shù)及研制應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的大規(guī)模模擬和數(shù)字驅(qū)動(dòng)芯片。其中人工智能動(dòng)力系統(tǒng)芯片、SDR 無(wú)人機(jī)芯片、高集成AM數(shù)字驅(qū)動(dòng)mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等獲得數(shù)10項(xiàng)發(fā)明專利。
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中科無(wú)線半導(dǎo)體,由中國(guó)科大校友團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦,具備多年化合物功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),是一家基于化合物材料研發(fā)及生產(chǎn)的高端模擬芯片設(shè)計(jì)公司。
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5mm×6.5mm LGA-30pin
2×GaN HEMT + 1×半橋驅(qū)動(dòng)器
適用于輕量化應(yīng)用場(chǎng)景
CT-1906 V1.1是一款100V、60A三相增強(qiáng)型氮化鎵半橋芯片,采用10×10mm LGA封裝。該封裝集成了6個(gè)高性能HEMT器件和3個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片,使其成為業(yè)內(nèi)最緊湊、最高效的GaN解決方案。
CT-1908是一個(gè)緊湊的 9 mm×9 mm LGA 封裝中的 100V、150A 半橋 SolidGaN。封裝中包括六個(gè)高性能增強(qiáng)型 GaN FET、驅(qū)動(dòng)器、柵極電阻器和驅(qū)動(dòng)器電源電容器,提供業(yè)界最緊湊、最高效的 GaN 電源解決方案。
8mm×8mm LGA-15pin
6×GaN HEMT
適用于高性能的機(jī)器人執(zhí)行器