圍繞化合物半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)材料技術(shù)及研制應(yīng)用于人工智能領(lǐng)域的大規(guī)模模擬和數(shù)字驅(qū)動(dòng)芯片。其中人工智能動(dòng)力系統(tǒng)芯片、SDR 無(wú)人機(jī)芯片、高集成AM數(shù)字驅(qū)動(dòng)mini/micro LED芯片及HEMT、PHEMT器件等獲得數(shù)10項(xiàng)發(fā)明專利。
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中科無(wú)線半導(dǎo)體,由中國(guó)科大校友團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦,具備多年化合物功率半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn),是一家基于化合物材料研發(fā)及生產(chǎn)的高端模擬芯片設(shè)計(jì)公司。
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尺寸:13×15×2.1mm
TX POWER=33 dBm
通信延時(shí)低于5ms
射頻帶寬:1/2/4/8 Mhz
傳輸速率:2Mbps, 4Mbps, 500Kbps, 100Kbps
靈敏度:5.8G:-91dbm @4Mbps,-93dbm@2Mbps;
Sub1G: -88dbm@2Mbps,-96dbm @500Kbps
13×15×2.1mm
接口:SDIO3.0×1
(5.8G or 2.4G RF)
UART×1(GNSS/BT)
17mm×17mm×2.1mm
接口:SDIO3.0×1;UART×1;